BSC014N04LSTATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC014N04LSTATMA1 tarafından Infineon ve ISZ019N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC014N04LSTATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55C to +175C (TJ max)
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi MSL1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typical)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 44 nC at VGS=10V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin