BSC015NE2LS5IATMA1 vs BSZ018NE2LSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC015NE2LS5IATMA1 tarafından Infineon ve BSZ018NE2LSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC015NE2LS5IATMA1 BSZ018NE2LSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 33 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 1.5 mOhm —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 50 W —
Paket PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
Technology OptiMOS 5 trench OptiMOS (Infineon trench MOSFET)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Part Number — BSZ018NE2LSIATMA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 22 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
Typical On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 1.8 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation at Tc=25C — 69 W
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin