BSC019N04LSTATMA1 vs BSC0921NDIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC019N04LSTATMA1 tarafından Infineon ve BSC0921NDIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC019N04LSTATMA1 BSC0921NDIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 25V (N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 161 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 28 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] 31 A (per channel, package-limited)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.9 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V —
Total Gate Charge Qg typ 85 nC —
Power Dissipation PD (Tc=25C) 94 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Paket TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (per Infineon OptiMOS family)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Avalanche Rated Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Continuous Drain Current (ID) — 17 A (per channel)
Total Power Dissipation (PD) — 1 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic)
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
Primary Application — Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin