BSC030N03LSGATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC030N03LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSZ130N03LSGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC030N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 100 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C 23 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ 2.2 V —
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V 55 nC —
Output Charge (Qoss) 66 pF —
Input Capacitance (Ciss) Typ 4.3 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 69 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (junction)
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin