BSC030N03LSGATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC030N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ130N03LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 - 30V 100A 3mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC030N03LSGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC030N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C 100 A —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C 23 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3 mOhm —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ 2.2 V —
Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V 55 nC —
Output Charge (Qoss) 66 pF —
Input Capacitance (Ciss) Typ 4.3 nF —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 69 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (junction)
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں