BSC036NE7NS3GATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC036NE7NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC093N15NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC036NE7NS3GATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 400 A —
On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) 3.6 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) 2.6 V —
Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) 45 nC —
Rise Time (tr typ) 13 ns —
Fall Time (tf typ) 11 ns —
Power Dissipation (PD max, Tc=25C) 156 W —
Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 0.8 C/W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu ROHS3 Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Technology — OptiMOS 5 150V
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Klorürsüz — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin