BSC036NE7NS3GATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC036NE7NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC093N15NS5ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC036NE7NS3GATMA1 | BSC093N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | — |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | 2.6 V | — |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | 45 nC | — |
| Rise Time (tr typ) | 13 ns | — |
| Fall Time (tf typ) | 11 ns | — |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | 156 W | — |
| Power Dissipation (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.8 C/W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| وضعیت RoHS | ROHS3 Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Technology | — | OptiMOS 5 150V |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 87 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 9.3 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 139 W |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | — | 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| بدون هالوژن | — | [DATA_NEEDED: halogen free status] |