BSC040N08NS5ATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC040N08NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC093N15NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC040N08NS5ATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC040N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 150V
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) 121 A —
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 4 mOhm —
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc=25C) 104 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Primary Application Synchronous rectification in telecom and server power supplies —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Klorürsüz — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin