BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC042NE7NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC047N08NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |