BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 比較

詳細並排比較 BSC042NE7NS3GATMA1 由 Infineon 與 BSC047N08NS3GATMA1 由 Infineon. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ 啟用中
Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ 啟用中

規格比較

參數 BSC042NE7NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1
品牌 Infineon Infineon
類別 MOSFETs MOSFETs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC042NE7NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1
電晶體類型 N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS™ 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 19 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
RDS(on) max at VGS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.7 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
工作溫度範圍 -55C to +150C -55 °C to +175 °C (Tj)
封裝 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
MSL 等級 1 —
RoHS 狀態 Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
On-Resistance RDS(on) max — 4.7 mOhm at VGS=10 V
Power Dissition (Tc) — 125 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) — Normal level (typ 1.7 V)
Avalanche Rated — 100% tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free

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