BSC042NE7NS3GATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC042NE7NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC047N08NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC042NE7NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC042NE7NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS™ 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 19 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
RDS(on) max at VGS=10V 4.2 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.7 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 °C to +175 °C (Tj)
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
On-Resistance RDS(on) max — 4.7 mOhm at VGS=10 V
Power Dissition (Tc) — 125 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) — Normal level (typ 1.7 V)
Avalanche Rated — 100% tested
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں