BSC060P03NS3EGATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC060P03NS3EGATMA1 tarafından Infineon ve BSC084P03NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC060P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V -30 V
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) 100 A 78.6 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 83 W 69 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C -55C to +150C
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Technology OptiMOS™ P-channel Trench —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — P-Channel
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Technology Family — OptiMOS P3
MSL Seviyesi — 1 (unlimited)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin