BSC060P03NS3EGATMA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC060P03NS3EGATMA1 bằng Infineon và BSC084P03NS3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSC084P03NS3GATMA1 - P-Ch 30V 78.6A OptiMOS P3 MOSFET | Infineon
BSC084P03NS3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC060P03NS3EGATMA1 | BSC084P03NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 17.7 A | 14.9 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | 78.6 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | -2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | 81 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 6.02 nF | — |
| Output Capacitance Coss | 2.81 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 220 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | 69 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C | -55C to +150C |
| Hộp | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) |
| Technology | OptiMOS™ P-channel Trench | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity / Channel Type | — | P-Channel |
| Rds(on) max @ VGS = -10 V | — | 6.1 mOhm |
| Rds(on) max @ VGS = -2.5 V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | -1.7 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 58 nC @ VGS = -10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 3.19 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 110 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 1.52 nF |
| Technology Family | — | OptiMOS P3 |
| Cấp MSL | — | 1 (unlimited) |