BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC070N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC190N15NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC070N10NS5ATMA1 BSC190N15NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin