BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC070N10NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC190N15NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC070N10NS5ATMA1 BSC190N15NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C —
پیکیج PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 19 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں