BSC0902NSIATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0902NSIATMA1 tarafından Infineon ve BSC023N08NS5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC0902NSIATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Paket PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Part Number — BSC023N08NS5SCATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin