BSC0902NSIATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC0902NSIATMA1 توسط Infineon و BSC023N08NS5SCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC0902NSIATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (junction) —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
Part Number — BSC023N08NS5SCATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
دمای اتصال کاری — -55 °C to +175 °C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت