BSC0902NSIATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0902NSIATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC023N08NS5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC0902NSIATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 30V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Charge QG(0V..10V) 24 nC —
Output Charge QOSS 17 nC —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) —
پیکیج PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Built-in Diode Yes (single with built-in diode) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Part Number — BSC023N08NS5SCATMA1
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں