BSC0921NDIATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0921NDIATMA1 tarafından Infineon ve BSC019N04LSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC0921NDIATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 25V (N-channel) OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 17 A (per channel) —
Pulsed Drain Current (IDM) 31 A (per channel, package-limited) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Total Power Dissipation (PD) 1 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V/4.5V] —
Gate Charge (Qg) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Output Charge (Qoss) Ultra-low (OptiMOS 25V family characteristic) —
Paket PG-TISON-8 (8-pin, exposed pad) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per Infineon OptiMOS family) 1 (unlimited)
Primary Application Synchronous buck converters, VRMs, POL regulators —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin