BSC117N08NS5ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC117N08NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC077N12NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC117N08NS5ATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 50 W —
Paket PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 8
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 1
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin