BSC12DN20NS3GATMA1 vs BSC005N03LS5IATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC12DN20NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC005N03LS5IATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC12DN20NS3GATMA1 | BSC005N03LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| Paket | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (per LCSC listing) |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Configuration | Single N-channel | — |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| Part Number | — | BSC005N03LS5IATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 42 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 433 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 0.55 mΩ at VGS = 10 V, ID = 50 A |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) at VGS = 10 mA |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 188 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 °C to +175 °C |
| Polarity | — | N-Channel |