BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC190N15NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC12DN20NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC190N15NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: gate threshold typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-5
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 200V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 11.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Configuration — Single N-channel
Pin Sayısı — 8

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin