BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC12DN20NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC190N15NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC12DN20NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC190N15NS3GATMA1 BSC12DN20NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: gate threshold typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-5
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 200V
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 11.3 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Configuration — Single N-channel
تعداد پایه — 8

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت