BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC190N15NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC360N15NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC190N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm 36 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C -55°C to +150°C (junction)
Paket PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC360N15NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Avalanche Energy Rated — Yes
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin