BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC360N15NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC190N15NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC360N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm 19 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (junction) -55 C to +150 C
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi 1 1
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin