BSC360N15NS3GATMA1 vs BSC190N15NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC360N15NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC190N15NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC360N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC360N15NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS 3 (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 36 mOhm 19 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc 74 W —
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg value] —
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C (junction) -55 C to +150 C
Avalanche Energy Rated Yes —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
רמת MSL 1 1
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 50 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 125 W

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר