BSD214SNH6327XTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSD214SNH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP92PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSD214SNH6327XTSA1 BSP92PH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Paket SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 1 (unlimited)
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Transistor Türü — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -250 V
Continuous Drain Current (ID) — -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Channel Polarity — P-Channel
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (Tj)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Pin Sayısı — 4 (Gate, Drain, Drain, Source)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin