BSD214SNH6327XTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSD214SNH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS192PH6327FTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSD214SNH6327XTSA1 BSS192PH6327FTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V 250 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Paket SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per distributor listing)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]
MSL Seviyesi 1 —
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin