BSO220N03MDGXUMA1 vs BSC0502NSIATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSO220N03MDGXUMA1 tarafından Infineon ve BSC0502NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSO220N03MDGXUMA1 | BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 3M | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2N-CH), independent | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 7.7 A | — |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | 22 mΩ max @ V_GS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G nC] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 1.4 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| Paket | PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS™ 3M (Trench MOSFET) | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 26 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.3 mOhm |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | — | 9.0 nC |
| Output Charge QOSS Typ | — | 13.5 nC |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | — | 43 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |