BSO220N03MDGXUMA1 vs BSC0502NSIATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSO220N03MDGXUMA1 توسط Infineon و BSC0502NSIATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSO220N03MDGXUMA1 | BSC0502NSIATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 3M | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2N-CH), independent | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 7.7 A | — |
| On-State Resistance (R_DS(on)) | 22 mΩ max @ V_GS=10V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G nC] | — |
| Power Dissipation (P_D) | 1.4 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| بسته‌بندی | PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (unlimited) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS™ 3M (Trench MOSFET) | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 26 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.3 mOhm |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | — | 9.0 nC |
| Output Charge QOSS Typ | — | 13.5 nC |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | — | 43 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |