BSO220N03MDGXUMA1 vs BSC0502NSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSO220N03MDGXUMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0502NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 - 30V Dual N-Ch MOSFET 7.7A | Infineon

BSO220N03MDGXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSO220N03MDGXUMA1 BSC0502NSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 3M —
Configuration Dual N-Channel (2N-CH), independent —
Drain-Source Voltage (V_DS) 30 V —
Continuous Drain Current (I_D) 7.7 A —
On-State Resistance (R_DS(on)) 22 mΩ max @ V_GS=10V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G nC] —
Power Dissipation (P_D) 1.4 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +150C
پیکیج PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology OptiMOS™ 3M (Trench MOSFET) OptiMOS 5 (Trench MOSFET)
Avalanche Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 26 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 2.3 mOhm
Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ — 9.0 nC
Output Charge QOSS Typ — 13.5 nC
Power Dissipation at TA (Ta=25C) — 2.5 W
Power Dissipation at TC (Tc=25C) — 43 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں