BSP135H6327XTSA1 vs BSP135H6906XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP135H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP135H6906XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP135H6906XTSA1 BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 - 600V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP135H6906XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP135H6327XTSA1 BSP135H6906XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) SIPMOS (planar high-voltage)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (unlimited)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 120 mA
RDS(on) Max at VGS=0V — 45 Ohm
Power Dissipation (PD) Max — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(off)) — Depletion mode (normally-on)
Pin Sayısı — 4 (3 leads + drain tab)
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per datasheets.com parametric record)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin