BSP316PH6327XTSA1 vs BSC084P03NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP316PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSC084P03NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP316PH6327XTSA1 BSC084P03NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Paket PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C
Pin Sayısı 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (unlimited)
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (Tc) — 78.6 A
Rds(on) max @ VGS = -10 V — 6.1 mOhm
Rds(on) max @ VGS = -2.5 V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — -1.7 V
Total Gate Charge (Qg) — 58 nC @ VGS = -10 V
Input Capacitance (Ciss) — 3.19 nF
Output Capacitance (Coss) — 110 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 1.52 nF
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
Technology Family — OptiMOS P3

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin