BSP88H6327XTSA1 vs BSS192PH6327FTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP88H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS192PH6327FTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP88H6327XTSA1 BSS192PH6327FTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C —
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT89 (SOT-89-3, 4-pin 3+Tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
İşletim Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (per distributor listing)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 250 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (Pd) — 1 W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.8 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs — [DATA_NEEDED: Rds On max @ Vgs]
Vgs(th) (Max) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage max]
Vgs(th) (Typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage typ]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: Tj max / operating temp]
Series — SIPMOS Small-Signal-Transistor
Part Status — Active
RoHS Durumu — [DATA_NEEDED: explicit RoHS status from datasheet]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin