BSR802NL6327HTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSR802NL6327HTSA1 tarafından Infineon ve BSP315PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSR802NL6327HTSA1 BSP315PH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS (enhancement mode)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Paket PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Qualification Automotive —
RoHS Durumu Compliant —
Pin Sayısı 3 —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin