BSR802NL6327HTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSR802NL6327HTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP315PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSR802NL6327HTSA1 | BSP315PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSR802NL6327HTSA1 | — |
| Technology | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS (enhancement mode) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 3.7 A (Ta=25C) | — |
| Power Dissipation (PD) max | 500 mW (Ta=25C) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | 23 mOhm @ VGS=4.5 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| پیکیج | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| Qualification | Automotive | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| پن کی تعداد | 3 | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -1.17 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |