BSS119NH6327XTSA1 vs BSS123NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS119NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS123NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS119NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Paket PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55 °C to +150 °C (junction)
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) AEC-Q101 (automotive)
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) —
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) — 190 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin