BSS119NH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS119NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS126H6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS119NH6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Paket PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55C to +150C (junction, typical)
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) —
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Pin Sayısı — 3
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Klorürsüz — Yes (Infineon 'green' package)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin