BSS119NH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS119NH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS126H6327XTSA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA, SOT-23 | Infineon

BSS119NH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS119NH6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
بسته‌بندی PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55C to +150C (junction, typical)
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) —
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
تعداد پایه — 3
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
بدون هالوژن — Yes (Infineon 'green' package)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت