BSS214NWH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS214NWH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSL606SNH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSS214NWH6327XTSA1 | BSL606SNH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS214NWH6327XTSA1 | — |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS3 trench MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | 1.5 A | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | 250 mOhm | — |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5 V, 4.5 V | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 500 mW | — |
| Paket | PG-SOT323 (SOT-323-3) | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 4.5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5.6 nC (max) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (Tj) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |