BSS306NH6327XTSA1 vs BSS806NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS306NH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS806NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS306NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS306NH6327XTSA1 —
Part Family BSS306N (OptiMOS Small Signal) —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 2 (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) max [DATA_NEEDED: exact RDS(on) max value in mΩ] —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max in V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) in V] —
Paket SOT-23 (PG-SOT23), 3-pin PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55°C to +150°C (TJ) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Plating Pb-free (RoHS compliant) —
Configuration Single N-Channel, 3-pin —
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 2.3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 57 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.8 V rated (logic level)
Gate Drive (recommended VGS) — 1.8 V to 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (PD, Ta) — 500 mW
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C (junction)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu — Compliant (Pb-free plating)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin