BSS87H6327FTSA1 vs BSP92PH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS87H6327FTSA1 tarafından Infineon ve BSP92PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS87H6327FTSA1 BSP92PH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V -250 V
Continuous Drain Current (ID) 260 mA (Ta) -260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) 1.8 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 ohm max at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Paket PG-SOT89-4-2 (SOT-89) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) —
Pin Sayısı 3 (Gate / Drain / Source) 4 (Gate, Drain, Drain, Source)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free / Pb-Free Yes (Pb-free plating) —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Process Technology Vertical DMOS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET
Transistor Türü — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Channel Polarity — P-Channel
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (Tj)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin