BSZ011NE2LS5IATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ011NE2LS5IATMA1 tarafından Infineon ve IPD082N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ011NE2LS5IATMA1 IPD082N10N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Klorürsüz Yes —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin