BSZ011NE2LS5IATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSZ011NE2LS5IATMA1 توسط Infineon و IPD082N10N3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSZ011NE2LS5IATMA1 IPD082N10N3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 35 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) —
Gate Drive Voltage (recommended) 4.5 V to 10 V —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C —
بسته‌بندی PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
بدون هالوژن Yes —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
دمای اتصال کاری — -55°C to +175°C
بسته‌بندی / کیس — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت