BSZ0994NSATMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSZ0994NSATMA1 tarafından Infineon ve BSZ0501NSIATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSZ0994NSATMA1 BSZ0501NSIATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 30V —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 13 A —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.1 W —
Technology Trench (OptiMOS 5) —
Paket PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
On-Resistance (RDS(on), typ @10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging Tape & Reel —
Part Number — BSZ0501NSIATMA1
Product Family — OptiMOS 5 (25V/30V)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin