BSZ0994NSATMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ0994NSATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ0501NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ0994NSATMA1 BSZ0501NSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 30V —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 13 A —
Power Dissipation (PD, Ta) 2.1 W —
Technology Trench (OptiMOS 5) —
پیکیج PG-TSDSON-8-25 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 8 —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
On-Resistance (RDS(on), typ @10V) [DATA_NEEDED: RDS(on) typ @VGS=10V] —
Gate Charge (Qg, typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Packaging Tape & Reel —
Part Number — BSZ0501NSIATMA1
Product Family — OptiMOS 5 (25V/30V)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں