EP3C10F256C8N vs EP3C10F256C6 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma EP3C10F256C8N tarafından Altera ve EP3C10F256C6 tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre EP3C10F256C8N EP3C10F256C6
Marka Altera Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Series Cyclone III —
Logic Elements 10,320 —
Logic Array Blocks (LABs) 645 —
Embedded Memory (Bits) 423,936 —
User I/Os 182 —
Operating Frequency (max) 402 MHz —
Core Supply Voltage (VCCINT) 1.15 V to 1.25 V (1.2 V nominal) —
Process Technology 60 nm low-power CMOS 60 nm low-power CMOS
Embedded 18x18 Multipliers 23 23
PLLs 4 2
Paket 256-pin FineLine BGA (FBGA-256, 17 x 17 x 1.8 mm) 256-FBGA (FineLine BGA, 17x17 mm, 1.0 mm pitch)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (BGA)
İşletim Sıcaklığı 0 C to 85 C (Commercial, 'C' grade) -40 C to +125 C (industrial, suffix 'C')
RoHS Durumu Compliant Compliant (lead-free FBGA)
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi MSL3 (per JEDEC J-STD-020, typical for FineLine BGA) 3 (168 hours)
Configuration Method SRAM-based, supports Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG —
Equivalent Gate Count ~0.5 M Gates (approximate) —
Family — Cyclone III
Logic Elements (LE) — 10,320
Total Memory Bits — 423,936 bits
Maximum User I/Os — 182
Core Voltage (VCCINT) — 1.15 V to 1.25 V (typ. 1.2 V)
I/O Voltage (VCCIO) — 1.2 V to 3.3 V (bank-dependent)
Configuration Memory — SRAM-based (external EPCS flash required)
Speed Grade — 6

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin