H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-RDC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-PBC tarafından SK hynix ve H5AN4G8NBJR-RDC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-RDC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Memory Density 4 Gbit —
Organizasyon 512M x 8 512M x 8
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Arayüz Türü Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Paket 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) —
Lead Free Yes —
Klorürsüz Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC Auto-refresh and self-refresh
Density — 4 Gbit
Arayüz — DDR4 (Double Data Rate IV)
Besleme Gerilimi — [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
Veri Hızı — [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Termination — On-Die Termination (ODT)
RoHS Durumu — Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin