H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-RDC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-VKIR tarafından SK hynix ve H5AN4G8NBJR-RDC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-RDC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
Organizasyon 512M x 8 512M x 8
Veri Hızı 2666 Mbps per pin [DATA_NEEDED: speed grade Mbps]
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Paket 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (Industrial) -40C to +85C (case) —
Extended Temperature Range +85C to +95C (case, per datasheet conditions) —
Technology CMOS DRAM —
Product Family H5AN4G4/6/8NBJR series —
Speed Grade Code -VKI —
Packing Suffix R (Tape & Reel) —
VPP Supply [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh interval specification] Auto-refresh and self-refresh
Arayüz — DDR4 (Double Data Rate IV)
Besleme Gerilimi — [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
Bank Architecture — 8 banks with 4 bank groups (x8)
Temperature Grade — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Termination — On-Die Termination (ODT)
RoHS Durumu — Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant)
Process Technology — CMOS
Manufacturer — SK hynix
Family Series — H5AN4G4/8/6NBJR

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin