H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-RDC So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN4G8NBJR-VKIR bằng SK hynix và H5AN4G8NBJR-RDC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN4G8NBJR-VKIR | H5AN4G8NBJR-RDC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Tổ chức | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps per pin | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Hộp | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (Industrial) | -40C to +85C (case) | — |
| Extended Temperature Range | +85C to +95C (case, per datasheet conditions) | — |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Product Family | H5AN4G4/6/8NBJR series | — |
| Speed Grade Code | -VKI | — |
| Packing Suffix | R (Tape & Reel) | — |
| VPP Supply | [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh interval specification] | Auto-refresh and self-refresh |
| Giao diện | — | DDR4 (Double Data Rate IV) |
| Điện áp cung cấp | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Bank Architecture | — | 8 banks with 4 bank groups (x8) |
| Temperature Grade | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Termination | — | On-Die Termination (ODT) |
| Trạng thái RoHS | — | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Family Series | — | H5AN4G4/8/6NBJR |